| 主权项 |
1.一种沉积材料于基板上之装置,包含: 一板,具有一上表面与一相对的下表面; 一孔径,延伸通过该板;及 一凸起之体貌,位在邻近于该孔径的周边且自该板 的上表面而朝上延伸; 其中,沉积于孔径内之材料的形状实质上和该孔径 与凸起之体貌的形状一致。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中,该凸起之体 貌包含多个梯级。 3.如申请专利范围第1项之装置,另包含:一第二凸 起之体貌,位在邻近于该孔径的周边且自该板的上 表面而朝上延伸。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中,该孔径的形 状实质上为矩形。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中,该孔径的形 状实质上为方形。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中,该板包含一 金属或塑胶材料。 7一种沉积材料于基板上之装置,包含: 一板,具有一上表面与一相对的下表面; 一孔径,延伸通过该板; 一第一凸起之体貌,位在邻近于该孔径的周边且自 该板的上表面而朝上延伸;及 一第二凸起之体貌,位在邻近于该孔径的周边且自 该板的上表面而朝上延伸; 其中,沉积于孔径内之材料形成一试样,其具有实 质上对应于该孔径及第一与第二凸起之体貌的形 状。 8.如申请专利范围第7项之装置,其中,该试样包含 一梯状试样。 9.如申请专利范围第7项之装置,其中,第一与第二 凸起之体貌各自包含多个梯级。 10.如申请专利范围第7项之装置,其中,该板包含一 金属。 11.如申请专利范围第10项之装置,其中,该板包含一 铜材料、铜合金材料、与不锈钢材料之至少其中 一者。 12.如申请专利范围第7项之装置,其中,该板、第一 凸起之体貌、与第二凸起之体貌包含单一部件。 13.如申请专利范围第7项之装置,其中,该板包含一 模制塑胶。 14.如申请专利范围第7项之装置,其中,该装置系藉 由一蚀刻制程或一电成型制程来予以形成的。 15.如申请专利范围第7项之装置,其中,该孔径系实 质为矩形。 16.如申请专利范围第7项之装置,其中,该孔径系实 质为方形。 17.如申请专利范围第7项之装置,另包含: 一第二孔径,延伸通过该板; 一第三凸起之体貌,位在邻近于第二孔径的周边且 自该板的上表面而朝上延伸;及 一第四凸起之体貌,位在邻近于第二孔径的周边且 自该板的上表面而朝上延伸; 其中,沉积于第二孔径内之材料形成一试样,其具 有实质上对应于该第二孔径及第三与第四凸起之 体貌的形状。 18.如申请专利范围第17项之装置,其中,由第二孔径 所形成之试样的形状实质上和由该孔径所形成之 试样的形状相同。 19.如申请专利范围第17项之装置,其中,第一与第二 凸起之体貌的其中一者及第三与第四凸起之体貌 的其中一者包含一配置于第二孔径与该孔径间之 凸起的体貌。 20.一种沉积材料于基板上之方法,包含: 定位一模版于一基板上,该模版包括一延伸通过其 中之孔径、与一凸起的体貌,其系位于邻近该孔径 且自该模版的上表面而朝上延伸; 涂施一些材料于该模版的上表面上;及 以一装置,藉由移动该装置于该孔径与凸起的体貌 之上而强制该材料进入该孔径中。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中,该凸起之体 貌包含数个梯级。 22.如申请专利范围第20项之方法,另包含:移除该模 版,其中,形成于该孔径之试样仍保持在基板上。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中,该试样包含 一梯状的试样。 24.如申请专利范围第20项之方法,另包含: 定位一积体电路晶片于该试样之上;及 紧压该积体电路晶片于该基板上,其中,该试样材 料系朝向该积体电路晶片的周边而流动向外。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中,该积体电路 晶片包括一阵列之接合垫,且该基板包括一对应阵 列之岸面,于该晶片上的各个接合垫具有一黏贴于 该处之焊接元件,该方法另包含:加热该基板与晶 片组件以回流该等焊接元件。 26.如申请专利范围第25项之方法,另包含:固化该材 料。 27.如申请专利范围第20项之方法,其中,该材料包含 一环氧树脂材料。 28.如申请专利范围第20项之方法,其中,该材料包括 一焊剂熔剂。 29.如申请专利范围第20项之方法,其中,该材料包括 一填充材料。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中,该填充材料 包含氧化矽材料。 31.如申请专利范围第20项之方法,其中,该装置包含 一涂刷装置。 32.如申请专利范围第20项之方法,另包含:再次运用 该模版于其他的基板。 33.一种沉积材料于基板上之方法,包含: 定位一模版于一固持有数个基板之载座上,该模版 包括一延伸通过其中之相对应数目的孔径、与数 个凸起之体貌,各个凸起之体貌系位于邻近该等孔 径之其中一者且自该模版的上表面而朝上延伸,其 中,各个孔径系对准于该等基板之其中一者; 涂施一些材料于该模版的上表面上;及 以一装置,藉由移动该装置于该等孔径与凸起之体 貌上而强制该材料进入该等孔径中。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中,该等凸起之 体貌之各者包含多个梯级。 35.如申请专利范围第33项之方法,另包含:移除该模 版,其中,形成于各个孔径中之试样仍保持在各个 基板上。 36.如申请专利范围第35项之方法,其中,各个试样包 含一梯状的试样。 37.如申请专利范围第33项之方法,另包含: 定位一晶片于各个试样之上;及 紧压各个晶片于该载座上,其中,在各个晶片的下 方之试样材料系朝向该晶片的周边而流动向外。 38.如申请专利范围第37项之方法,其中,各个晶片包 括一阵列之接合垫且各个基板包括一对应阵列之 岸面,各个晶片接合垫具有一黏贴于该处之焊接元 件,该种方法另包含:加热该基板与晶片组件以回 流该等焊接元件。 39.如申请专利范围第38项之方法,另包含:固化该材 料于各个基板与晶片组件上。 40.如申请专利范围第33项之方法,其中,该材料包含 一环氧树脂材料。 41.如申请专利范围第33项之方法,其中,该材料包括 一焊剂熔剂。 42.如申请专利范围第33项之方法,其中,该材料包括 一填充材料。 43.如申请专利范围第42项之方法,其中,该填充材料 包含氧化矽材料。 44.如申请专利范围第33项之方法,其中,该装置包含 一涂刷装置。 45.如申请专利范围第33项之方法,另包含:再次运用 该模版于其他的基板。 图式简单说明: 图1A至图1C系举例说明分配未充满材料于基板与IC 装置之间的习用方法的示意图。 图2A至图2C系举例说明运用在此所揭示之模版来沉 积未充满材料于基板上之方法的一个实施例的示 意图。 图3A系用来沉积一些材料于基板上之模版的一个 实施例的立体图。 图3B系第3A图所举例说明之模版的平面图。 图3C系第3A图所举例说明之模版的侧视图。 图3D系可运用图3A至图3C之模版所作成之梯状试样 的立体图。 图3E至图3H系各自举例说明图3A至图3C之模版的另 一个实施例。 图4A至图4D系举例说明运用所揭示之模版来沉积一 梯状试样之未充满材料于基板上之方法的一个实 施例的示意图。 图5系举例说明运用所揭示之模版来沉积一试样之 未充满材料于基板上之方法的一个实施例的方块 图。 图6A系固持有多个基板之载座的平面图; 图6B系具有多个孔径之模版的一个实施例的平面 图,该模版系配置于图6A之载座上; 图6C系分别为图6A与图6B之三维模版与载座的侧视 图。 |
