| 主权项 |
1.一种固态电解电容器,包含: 一阀金属层; 一氧化物介电层于该阀金属层上,覆盖部分该阀金 属层的表面; 一偶合层,其分子链的第一端以共价键键结于该氧 化物介电层,第二端具有一导电性高分子单体的官 能基;以及 一导电性高分子层,于该偶合层上,具有共价键键 结于该导电性高分子单体。 2.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该阀金属层为铝、钽、钛、铌、氧化铌、或上 述之组合。 3.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该氧化物介电层为该阀金属层的氧化物。 4.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该偶合层与该氧化物介电层之间的键结为矽氧 键、磷氧键、碳氧键、硫氧键、或硼氧键。 5.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该导电性高分子单体的官能基为苯胺基(anilino) 、吩基(thiopheno)、咯基(pyrrole)、或上述之衍 生物。 6.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该导电性高分子单体的官能基为苯胺基。 7.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该偶合层的分子链的第一端与第二端之间更包 含C1~C12的烷基。 8.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该导电性高分子层为聚苯胺(polyaniline)、聚吩 (polythiophene)、聚咯(polypyrrole)、或上述之衍生物 。 9.如申请专利范围第1项所述之固态电解电容器,其 中该导电性高分子层为聚苯胺。 10.一种固态电解电容器的制造方法,包含: 提供一阀金属层; 形成一氧化物介电层于该阀金属层上,覆盖部分该 阀金属层的表面; 以自组装的方式形成一偶合层于该氧化物介电层 上,该偶合层的分子链的第一端以共价键键结于该 氧化物介电层,第二端具有一导电性高分子单体的 官能基;以及 形成一导电性高分子层于该偶合层上,具有共价键 键结于该导电性高分子单体。 11.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该阀金属层为铝、钽、钛、铌、 氧化铌、或上述之组合。 12.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该氧化物介电层为该阀金属层的 氧化物。 13.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中形成该偶合层更包含将该氧化物 介电层浸入一偶合剂的溶液中,其中该偶合剂层具 下列式(4)的分子式: R1-R3………………………………(4) 其中R1系择自矽烷基(silyl)、磷酸基(phosphono)、羧 基(carboxy)、磺酸基(sulfo)、硼酸基(boric acid group)、 或上述之衍生物,R3系择自苯胺基(anilino)、吩基( thiopheno)、咯(pyrrole)、或上述之衍生物。 14.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中形成该偶合层更包含将该氧化物 介电层浸入一偶合剂的溶液中,其中该偶合剂层具 下列式(5)的分子式: R1-R2-R3……………………………(5) 其中R1系择自矽烷基(silyl)、磷酸基(phosphono)、羧 基(carboxy)、磺酸基(sulfo)、硼酸基(boric acid group)、 或上述之衍生物,R2为C1-C12的烷基,R3系择自苯胺基( anilino)、吩基(thiopheno)、咯基(pyrrole)、或上述 之衍生物。 15.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该偶合层与该氧化物介电层之间 的键结为矽氧键、磷氧键、碳氧键、硫氧键、或 硼氧键。 16.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该导电性高分子单体的官能基为 苯胺基(anilino)、吩基(thiopheno)、咯基(pyrrole) 、或上述之衍生物。 17.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该导电性高分子单体的官能基为 苯胺基。 18.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该偶合层的分子链的第一端与第 二端之间更包含C1~C12的烷基。 19.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该导电性高分子层为聚苯胺( polyaniline)、聚吩(polythiophene)、聚咯(polypyrrole) 、或上述之衍生物。 20.如申请专利范围第10项所述之固态电解电容器 的制造方法,其中该导电性高分子层为聚苯胺。 21.一种偶合剂,适用于以自组装的方式与一氧化物 与一高分子材料产生共价键结,具下列式(6)的分子 式: R1-R3………………………………(6) 其中R1系择自矽烷基(silyl)、磷酸基(phosphono)、羧 基(carboxy)、磺酸基(sulfo)、硼酸基(boric acid group)、 或上述之衍生物,R3为该高分子材料的聚合单体之 一。 22.如申请专利范围第21项所述之偶合剂,其中R3系 择自苯胺基(anilino)、嗥基(thiopheno)、咯(pyrrole )、或上述之衍生物。 23.一种偶合剂,适用于以自组装的方式与一氧化物 与一高分子材料产生共价键结,具下列式(7)的分子 式: R1-R2-R3……………………………(7) 其中R1系择自矽烷基(silyl)、磷酸基(phosphono)、羧 基(carboxy)、磺酸基(sulfo)、硼酸基(boric acid group)、 或上述之衍生物,R2为C1~C12的烷基,R3为该高分子材 料的聚合单体之一。 24.如申请专利范围第23项所述之偶合剂,其中R3系 择自苯胺基(anilino)、吩基(thiopheno)、咯(pyrrole )、或上述之衍生物。 图式简单说明: 第1图为一剖面图,系显示固态电解电容器1的局部 放大结构。 第2A~2D图为一系列之剖面图,系显示本发明之固态 电解电容器2的制造流程。 第3A~3C图为一系列之示意图,系显示本发明之偶合 剂在固态电解电容器2中,与氧化物介电层210及导 电性高分子层230发生共价键结的反应机构。 |
