| 主权项 |
1.一种发光二极体封装结构,包括: 一承载器; 一发光二极体晶片,系配置于该承载器上,其适于 发射出一光线; 一胶体,包覆该承载器上之该发光二极体晶片;以 及 一光致发光扩散材料,分布于该胶体中,其中该光 致发光扩散材料适于被该光线激发,且使该光线散 射。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该承载器为一印刷电路板,该发光二极体 晶片系与该印刷电路板电性连接。 3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体封装结 构,其中该印刷电路板上具有一晶片容纳空间,适 于配置该发光二极体晶片。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该承载器为一封装脚架,该发光二极体晶 片系与该封装脚架电性连接。 5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体封装结 构,更包括二焊线,该些焊线系电性连接于该发光 二极体晶片与该封装脚架之间。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该发光二极体晶片为一蓝光发光二极体晶 片。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该胶体包括: 一内层胶体,包覆该发光二极体晶片,其中该光致 发光扩散材料分布于该内层胶体中;以及 一封装胶体,包覆该内层胶体与部分该承载器。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该光致发光扩散材料之分子式为WmMon(Y,Ce, Tb,Gd,Sc)3+t+u(Al,Ga,Tl,In,B)5+u+2v(O,S,Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3 +,Tb3+,其中0<t<5;0<m、n、u、v<15。 9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体封装结 构,其中该WmMon(Y,Ce,Tb,Gd,Sc)3+t+u(Al,Ga,Tl,In,B)5+u+2v(O,S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+,Tb3+,其中0<t<5;0<m、n、u、v<15为 一混合物。 10.如申请专利范围第8项所述之发光二极体封装结 构,其中该WmMon(Y,Ce,Tb,Gd,Sc)3+t+u(Al,Ga,Tl,In,B)5+u+2v(O,S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+,Tb3+,其中0<t<5;0<m、n、u、v<15为 一烧结物。 11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该光致发光扩散材料之最大粒径系小于30 微米,且其平均粒径小于10微米。 12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该光致发光扩散材料系包括一萤光材料以 及一与该萤光材料附着之扩散材料。 13.如申请专利范围第12项所述之发光二极体封装 结构,其中该萤光材料之粒径系小于25微米。 14.一种冷阴极灯管,包括: 一灯管; 一放电气体,系分布于该灯管中; 一光致发光扩散材料,系配置于该灯管之管壁上; 以及 一电极组,其包含配置于该灯管二端之一阳极与一 阴极。 15.如申请专利范围第14项所述之冷阴极灯管,其中 该光致发光扩散材料之分子式为WmMon(Y,Ce,Tb,Gd,Sc)3+ t+u(Al,Ga,Tl,In,B)5+u+2v(O,S,Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+,Tb3+,其 中0<t<5;0<m、n、u、v<15。 16.如申请专利范围第15项所述之冷阴极灯管,其中 该WWmMon(Y,Ce,Tb,Gd,Sc)3+t+u(Al,Ga,Tl,In,B)5+u+2v(O,S,Se)12+2t+ 3u+3v+3m+3n:Ce3+,Tb3+,其中0<t<5;0<m、n、u、v<15为一混合 物。 17.如申请专利范围第15项所述之冷阴极灯管,其中 该WmMon(Y,Ce,Tb,Gd,Sc)3+t+u(Al,Ga,Tl,In,B)5+u+2v(O,S,Se)12+2t+3 u+3v+3m+3n:Ce3+,Tb3+,其中0<t<5;0<m、n、u、v<15为一烧结 物。 18.如申请专利范围第14项所述之冷阴极灯管,其中 该光致发光扩散材料系包括一萤光材料以及一与 该萤光材料附着之扩散材料。 图式简单说明: 图1绘示为习知白光发光二极体之封装结构示意图 。 图2绘示为习知白光发光二极体之封装结构示意图 。 图3绘示为本创作第一实施例之发光二极体封装结 构的示意图。 图4A及图4B绘示为光致发光扩散材料的示意图。 图5A及图5B绘示另一种光致发光扩散材料的示意图 。 图6与图7绘示为依照本创作第二实施例发光二极 体封装结构的示意图。 图8绘示为依照本创作第三实施例冷阴极灯管的示 意图。 |
