| 摘要 |
<P>La mémoire comporte, sur un substrat semiconducteur (1), une matrice de cellules (2) agencées en lignes (3) et en colonnes (4) et destinées chacune à stocker un bit d'information. Chaque cellule (2b) d'une colonne (4b) comporte une jonction tunnel magnétique ayant une borne de ligne et une borne de colonne reliées respectivement à un conducteur de ligne (5) et, par l'intermédiaire d'un transistor, à un premier conducteur de colonne (6ab) associé à ladite colonne (4b) et à une première colonne adjacente (4a). Une grille du transistor est connectée à un conducteur de grille (7b). La borne de colonne de chaque jonction tunnel de ladite colonne (4b) est connectée, par l'intermédiaire d'un transistor supplémentaire, à un second conducteur de colonne (8bc) associé à ladite colonne (4b) et à une seconde colonne adjacente (4c). Une grille du transistor supplémentaire est connectée à un conducteur de grille supplémentaire (15b). Les deux transistors associés à une cellule (2) peuvent avoir une électrode commune.</P>
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