| 摘要 |
以往，系在肖特基阻障二极体之周围设有用以确保耐压之保护环。保护环系p＋型区域，因此在施加反向电压时，空乏层会朝其周围扩展，因而成为低电容化的阻碍。而且在施加正向电压时超过预定电压的话，会从保护环注入电洞，而有无法实现高速动作的问题。本发明提供一种半导体装置，系在知保护环区域设置沟渠，并在内部设置绝缘膜。沟渠系到达n＋型半导体基板而设置。藉此，在到达n＋型基板之前，空乏层系仅朝深度方向扩展，而可实现低电容化。并且由于无须p＋型区域，因此不会有电洞之注入，且不会产生逆回复时间(Trr)。因而可提升切换动作速度。 |
