相变记忆体晶胞及其制造方法

摘要

本发明提供一种相变记忆体晶胞，包括用于相变层本体之阻抗式加热元件，藉由MOSFET的电压及电流有效地对一部份的相变本体进行加热。并且利用微影技术定义介面区域的第一尺寸，以及利用薄膜沉积技术定义介面区域的第二尺寸，使导电层与相变层本体之间的介面区域之面积最小化。