| 摘要 |
〔课题〕提供采用多孔质绝缘膜，制造电气特性与可靠性均优越的半导体装置之方法。〔解决手段〕对半导体基板上所形成的绝缘膜组成物，在非活性气体环境下，于350℃以下的温度中施行第1加热处理，而形成非多孔质绝缘膜。其次，利用以光阻图案为遮罩的乾式蚀刻处理，而在非多孔质绝缘膜中形成沟，并利用灰化处理而去除光阻图案之后，再将半导体基板表面施行洗净。然后，对非多孔质绝缘膜施行第2加热处理，而形成多孔质绝缘膜。因为第2加热处理在氧化性气体环境下实施，因而可在较知更低温中去除空孔形成材料，形成低介电率绝缘膜。 |
