光罩方法

摘要

本发明包括光罩方法。在一实施例中，一光罩材料包括在一半导体基板上形成一特征之上形成的硼掺杂非晶碳。该光罩材料包括至少约0.5原子百分比的硼。该光罩材料实质上为异向性蚀刻以有效形成一异向性蚀刻侧壁间隔物，该间隔物包括位于该特征侧壁上的硼掺杂非晶碳。然后处理邻近该间隔物的基板并使用包括间隔物之该硼掺杂非晶碳作为一光罩。处理邻近该间隔物的基板后，自该基板蚀刻包括间隔物之该硼掺杂非晶碳。可以了解尚有其他实施例及观点。