| 主权项 |
1.一种适用于半导体制程之冲切刀具,包括:一底材,具有一加工接触面;以及一镀膜材料,覆盖于该加工接触面上,其硬度系大于该底材之硬度,且其具有奈米级晶粒结构。2.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程之冲切刀具,其中该底材与该镀膜材料系同一材质。3.如申请专利范围第2项所述之适用于半导体制程之冲切刀具,其中该底材与该镀膜材料系为氮化钛。4.如申请专利范围第3项所述之适用于半导体制程之冲切刀具,其中该镀膜材料之洛氏硬度(HRC)系大于60。5.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程之冲切刀具,其中该镀膜材料之晶粒尺寸小于100奈米。6.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程之冲切刀具,其中该底材之材质包括金属合金以及钢材其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程之冲切刀具,其中该镀膜材料系以溅镀,电镀及锻烧方式其中之一覆于该底材表面上。8.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程之冲切刀具,其中该底材之该加工接触面包括锥形以及楔形其中之一。图式简单说明:图1绘示本发明一较佳实施例之一种适用于半导体制程之冲切刀具的局部表面放大示意图。图2绘示本发明一较佳实施例之一种适用于半导体制程之冲切刀具的示意图。 |
