| 主权项 |
1.一种预充电电路,用于预充电第一与第二信号线路至一特定电位,包含:第一与第二切换电晶体分别被连接于该第一信号线路之一第一端部侧与该特定电位间及该第二信号线路之一第二端部侧与该特定电位间;以及第三与第四切换电晶体分别被连接于该等第一与第二信号线路间之该第一端部侧与该第二端部侧,其中没有电晶体被连接在该第二信号线路之第一端部侧与该特定电位间,且没有电晶体被连接于该第一信号线路之第二端部侧与该特定电位间。2.一种预充电电路,用于预充电第一与第二信号线路对组至一特定电位,各信号线对组包含第一和第二信号线路,该预充电电路包含:一第一切换电晶体被连接于每对信号线路之一第一信号线路与该等特定电位间;一第二切换电晶体被连接于每对信号线路之第一及第二信号线路间;以及一第三切换电晶体被连接于相邻各对信号线路之相邻两条信号线路间,该等相邻的两个信号线路中其中之一条乃该第一信号线路对组之一条信号线路,而该等相邻的两条信号线路中之另外一条乃该第二信号线路对组之一条信号线路。3.如申请专利范围第2项所述之预充电电路,其中第一组被连接于该第一对信号线路之该等第一及第二切换电晶体与第二组被连接于该第二对信号线路之该等第一及第二切换电晶体以平面对称被配置,且该对第一及第二信号线路之该等第一或第二信号线路彼此相邻配置。4.一种预充电电路,用以预充电第一及第二对信号线路至一特定电位,各对信号线路包含第一及第二信号线路,该预充电电路包含:连接各对信号线路之一个第一信号线路与该特定电位之间的一个第一切换电晶体;以及连接各对信号线路之第一信号线路及第二信号线路的一个第二切换电晶体,其中该第一对及第二对信号线路之该等第一信号线路被彼此相邻配置,且不透过另外的切换电晶体与对方连接,其中该连接至该第一对信号线路之第一组该等第一及第二切换电晶体与第二组被连接于该第二对信号线路之该等第一及第二切换电晶体系以平面对称被配置。5.如申请专利范围第4项所述之预充电电路,其中该等第一及第二组该等第一及第二切换电晶体,被排列成一列与该等第一及第二对信号线路呈垂直,且该等第一及第二组之各相邻两切换电晶体具有共电极。6.一种半导体装置,其上设有一预充电电路,该预充电电路为用于将第一与第二信号线路预充电至一特定电位,该预充电电路包含:第一与第二切换电晶体分别被连接于该第一信号线路之一第一端部侧与该特定电位间及该第二信号线路之一第二端部侧与该特定电位间;以及第三与第四切换电晶体分别被连接于该等第一与第二信号线路间之该第一端部侧与该第二端部侧。其中没有电晶体被连接在该第二信号线路之第一端部侧与该特定电位间,且没有电晶体被连接于该第一信号线路之第二端部侧与该特定电位间。7.一种半导体装置,其上设有一预充电电路,该预充电电路为用于将第一及第二信号线路对预充电至一特定电位,各对信号线路包含第一及第二信号线路,该预充电电路包含:一第一切换电晶体被连接于每对信号线路之一信号线路与该等特定电位间;一第二切换电晶体被连接于每对信号线路之信号线路间;以及一第三切换电晶体被连接于相邻各对信号线路之相邻信号线路间。8.如申请专利范围第7项所述之半导体装置,其中第一组被连接于该第一对信号线路之该等第一及第二切换电晶体与第二组被连接于该第二对信号线路之该等第一及第二切换电晶体以平面对称被配置,且该对第一及第二信号线路之该等第一或第二信号线路彼此相邻配置。9.一种半导体装置,其上设有一预充电电路,该预充电电路为用于将第一及第二信号线路对预充电至一特定电位,各对信号线路包含第一及第二信号线路,该预充电电路包含:一第一切换电晶体被连接于每对信号线路之一第一信号线路与该等特定电位间;以及一第二切换电晶体被连接于每对信号线路之第一及第二信号线路间,其中该第一对及第二对信号线路之该等第一信号线路被彼此相邻配置,且不透过一第三切换电晶体与对方连接,其中该连接至该第一对信号线路之第一组该等第一及第二切换电晶体与第二组被连接于该第二对信号线路之该等第一及第二切换电晶体系以平面对称被配置。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其中被连接于每一对信号线路之该等第一至第三切换电晶体在垂直于该等信号线路对的方向上被配置,且该等第一至第三切换电晶体之相邻切换电晶体的预充电电路电极为共同的。图式简单说明:第1图显示依据本发明之一第一实施例被应用于一记忆体胞元阵列之预充电电路图;第2图显示依据本发明之一第二实施例被应用于一记忆体胞元阵列之预充电电路图;第3图显示依据本发明之一第三实施例被应用于一记忆体胞元阵列之预充电电路图;第4图显示依据本发明之一第四实施例被应用于一记忆体胞元阵列之预充电电路图;第5(A)与5(B)图为第4图之预充电电路的电晶体与其接点的配置图;以及第6(A)与6(B)图为习知技艺之SRAM电路的预充电电路与一记忆体胞元阵列之部分图。 |
