单结晶半导体之制造方法(二)

摘要

〔课题〕自熔液牵引成长单结晶半导体之过程中，藉由杂质更均匀地取入单结晶半导体内，使半导体晶圆表面内之杂质浓度不均变小，使晶圆平坦度更加提高。〔解决手段〕于牵引单结晶半导体(6)过程中，藉由抑制牵引速度之变动，使单结晶半导体(6)内杂质浓度不均变小。特别是使牵引速度10秒间之速度变动幅度ΔV调整到不满0.025mm／min。而且，当实施调整牵引速度之控制，以使单结晶半导体(6)直径变成希望的直径时，施加1500高斯以上强度之磁场到熔液(5)。