| 主权项 |
1.一种复合线,其具有大于约15微米及小于约100微 米之直径,且基本上由围绕包含以冶金方式与其结 合的导电性非贵金属的线核心之4N金合金金属环 所构成。 2.根据申请专利范围第1项之复合线,其中,该核心 金属包含铜。 3.根据申请专利范围第2项之复合线,其中,该核心 金属基本上由铜构成。 4.根据申请专利范围第1项之复合线,其系由该核心 金属和该金合金的共挤出物拉伸。 5.根据申请专利范围第1项之复合线,其具有以截面 积计介于约25%至约95%之核心比例。 6.根据申请专利范围第1项之复合线,其具有介于约 15和约75微米间之直径。 7.根据申请专利范围第4项之复合线,其中,该共挤 出物系藉由施力挤压一复合短棒而制得,其中该复 合短棒基本上系由一非贵金属核心、金合金之中 间层以及随后经除去之外覆金属层所构成。 8.根据申请专利范围第7项之复合线,其中,该短棒 在压出之前系先预热至约200至700℃之温度,之后, 该短棒系以介于约50及约200kg/mn2之力量挤压。 9.根据申请专利范围第8项之复合线,其中,该金合 金系掺有低于30ppm钙、低于20ppm铍和低于50ppm他种 元素。 10.根据申请专利范围第9项之复合线,其中,该金合 金包含低于10ppm铍和低于10ppm钙。 11.根据申请专利范围第7项之复合线,其中,该核心 金属和该金合金的熔点差系5℃之内。 12.根据申请专利范围第1项之复合线,其具有大于 约95GPa之弹性模量。 13.一种形成微米尺寸复合线的方法,此微米尺寸复 合线基本上由包含导电性非贵金属的线核心之4N 金合金金属环所构成,该方法包含以下步骤: 施力挤压-基本上系由一非贵金属核心、金合金之 中间层以及随后经除去之外覆金属层所构成之复 合短棒,因而形成一复合圆条,其中由该短棒之核 心与中间层定义之圆柱体之核心比例基本上系与 由该复合圆条之核心与中间层定义之圆柱体之核 心比例相同; 自该复合圆条拉伸出一具有介于约0.5及约5毫米间 之直径之第一复合线,并除去该外覆金属层,其中 由该复合圆条之核心与中间层定义之圆柱体之核 心比例基本上系与由该第一复合线之核心与中间 层定义之圆柱体之核心比例相同; 自该第一复合线拉伸出一具有介于约15及约75微米 间之直径之第二复合线,其中该第二复合线之核心 比例基本上系与该第一复合线之核心比例相同。 14.根据申请专利范围第13项之方法,其中,该核心金 属包含铜。 15.根据申请专利范围第14项之方法,其中,该核心金 属基本上由铜构成。 16.根据申请专利范围第13项之方法,其中该金合金 系掺有低于30ppm钙、低于20ppm铍和低于50ppm他种元 素的金。 17.根据申请专利范围第16项之方法,其中该金合金 系掺有低于10ppm铍和低于10ppm钙的金。 18.根据申请专利范围第13项之方法,其中,该核心金 属和该金合金的熔点差系5℃之内。 19.根据申请专利范围第13项之方法,其中,以截面积 计,该第一种复合线具有介于约25和约95%间之核心 比例。 20.根据申请专利范围第13项之方法,其中,该短棒在 压出之前系先预热至约200至约700℃之温度。 21.根据申请专利范围第13项之方法,其中,该短棒系 以介于约50和约200公斤/平方毫米间之压力压出。 22.一种具有微米尺寸直径的复合线,其系根据申请 专利范围第13项之方法制得。 23.一种半导体包装,其包含至少一条与根据申请专 利范围第1项之复合线结合的引线。 24.根据申请专利范围第23项之半导体包装,其中该 引线系与该复合线楔合。 25.根据申请专利范围第24项之半导体包装,其中该 复合线之核心基本上系由铜构成。 图式简单说明: 附图1是根据本发明的一个实施例之复合线的截面 图; 附图2是根据本发明的一个实施例之复合短棒的侧 面截面图,其被压出形成复合长棒,复合长棒被拉 伸成本发明的复合线; 附图3是根据本发明的一个实施例之半导体包装的 透视图,显现与本发明的复合线连接的引线; 附图4是根据本发明的一个实施例之复合金线的纵 向截面SEM照片,其与半导体包装的引线楔合;而 附图5是根据本发明的一个实施例之复合金线与AW- 14金线(一种4N金合金)之拉伸率和破裂载量性质之 比较。 |
