底切多层衍射结构的散射仪测量方法

摘要

一种底切多层衍射结构的度量方法，其中使用基于辐射的工具得到的衍射信号分析，其特征在于模拟衍射信号基于底切多层结构模型产生。在一种方法中，采用与库比较方法。在另一种方法中，采用回归分析方法。在模型中可以改变底切参数，包括临界尺寸和材料系数。

主权项

1.一种确定用于半导体度量中的衍射结构的底切多层模型图案的方法，所述衍射结构采用光刻法制造在半导体基底上，该方法包括：确定第一层模型结构；和确定至少一个第二层模型结构，其位于第一层模型结构上并至少在一维方向上延伸超过第一层模型结构，从而产生衍射结构的底切模型图案。