| 发明名称 | 检测晶片阶段缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种藉由实际芯片图像与模拟图像比较(Die-to-Aerial ImageComparison)来检测晶片阶段缺陷(Wafer Level Defect)的方法。此方法利用数据库中用于形成光罩的图案来模拟以光罩实际进行制程所形成芯片的图像。模拟的芯片图像则与以光罩实际进行制程所形成芯片的图像比较，以找出晶片阶段的缺陷而不会遗漏由光罩所造成的重复缺陷也不会将制程所产生的晶片阶段缺陷误认为光罩所造成。 | ||
| 申请公布号 | CN1217399C | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN03121653.6 | 申请日期 | 2003.03.13 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林思闽 |
| 分类号 | H01L21/66;G06K9/00 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种检测晶片阶段缺陷的方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一芯片图像；利用一位于一数据库的光罩图案来产生一模拟图像，该光罩图案是用来制造一光罩，而该光罩是用于在一微影制程中形成该芯片图像；及比较该芯片图像与该模拟图像。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 | ||