| 发明名称 | 水平生长碳纳米管的方法及具有该碳纳米管的器件 | ||
| 摘要 | 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。 | ||
| 申请公布号 | CN1660696A | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN200510004590.6 | 申请日期 | 2005.01.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑守桓;朴玩濬;柳寅儆;高朱惠 |
| 分类号 | C01B31/02;B82B3/00;C23C14/06 | 主分类号 | C01B31/02 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面中形成多个孔至预定的深度；在孔的底部上沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||