发明名称 双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置
摘要 本实用新型双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置,包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备,它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜,所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部,所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部,其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片,另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片,所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间,所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上,通过双电荷耦合成像芯片,适时切换使用,以获得最佳的图像信息,并可透过雾、霾进行目标观测,其观测距离是现有技术的1.5至2.3倍。
申请公布号 CN2722276Y 申请公布日期 2005.08.31
申请号 CN200420089164.8 申请日期 2004.08.30
申请人 北京佳士凯科技中心 发明人 徐潮
分类号 G02B23/02;G02B23/00;H04N5/225;G02B5/30;G02B5/20 主分类号 G02B23/02
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 代理人 张若华
主权项 1.一种双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置,包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备,其特征在于:它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜,所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部,所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部,其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片,另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片,所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间,所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上。
地址 100089北京市海淀区半壁街南路8号1004室