发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR20050083305(A) 申请公布日期 2005.08.26
申请号 KR20040011786 申请日期 2004.02.23
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, CHUL;YOUN, JAE MAN;LEE, CHOONG HO
分类号 H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址