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Ein intergrierter LDMOS-Transistor umfasst ein Halbleiter-Substrat (11), einen LDMOS-Gate-Bereich (17), LDMOS-Source- (14) und -Drain- (15) -Bereiche und einen Kanalbereich (13), der unter dem LDMOS-Gate-Bereich angeordnet ist, wo der Kanalbereich die LDMOS-Source- und -Drain-Bereiche miteinander verbindet. Der LDMOS-Gate-Bereich umfasst erste (18a) und zweite (18b) Gate-Isolierschichtbereiche, einen zentral angeordneten Gate-Aufteilungs-Isolierbereich (19), welcher zwischen dem ersten und dem zweiten Gate-Isolierschichtbereich vorgesehen ist, und erste (20a) und zweite (20b) individuelle Gate-Leitungsschichtbereiche, die auf jeweils einem der ersten und zweiten Gate-Isolierschichtbereiche vorgesehen sind und die jeweils einen geätzten äußeren Abstandshalter-Bereich bei dem zentral angeordneten Isolierschichtbereich bilden. |
