发明名称 |
沉积金属薄膜的方法和包括超临界干燥/清洁组件的金属沉积组合工具 |
摘要 |
一种在基材上沉积金属薄膜的方法包括超临界预清洁步骤、超临界解吸步骤、和金属沉积步骤。最好,预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳和螯合剂与基材的接触,以便从基材的金属表面除去氧化物。更优选的是,预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳、螯合剂、酸与基材的接触。另一种选择,是预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳和胺与氧化物层的接触。解吸步骤包括维持超临界二氧化碳与基材的接触,以便从基材除去被吸收的材料。然后,金属沉积步骤将金属薄膜沉积在基材上,同时不使基材暴露于会氧化预清洁的基材表面的氧化材料中,同时不使基材暴露于会吸附到基材上的非挥发性吸附材料中。一种将金属薄膜沉积到基材的装置包括转移组件、超临界加工组件、真空组件、和金属沉积组件。超临界加工组件被连接到转移组件。真空组件将金属沉积组件连接到转移组件。在操作时,该沉积金属薄膜装置执行超临界预清洁步骤、超临界解吸步骤、和金属沉积步骤。 |
申请公布号 |
CN1216415C |
申请公布日期 |
2005.08.24 |
申请号 |
CN01808330.7 |
申请日期 |
2001.04.24 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
M·A·比伯格尔;P·E·施林 |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
卢新华;马崇德 |
主权项 |
1.一种在基材上沉积金属薄膜的方法,包括以下各步骤:a.维持超临界二氧化碳和螯合剂与基材的接触,以便从基材的金属表面除去氧化物层,由此形成预清洁的基材;和b.在不使预清洁基材暴露于会氧化预清洁基材金属表面的材料之前提下,在预清洁基材上沉积金属薄膜。 |
地址 |
日本东京都 |