发明名称 | CMOS工艺兼容的相对湿度传感器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器,由衬底,氧化层,电容下极板,电容上极板组成,氧化层设在衬底上,电容下极板平铺于氧化层上,电容上极板位于衬底和氧化层的上方;本发明具有制作方法和结构非常简单,温度漂移小,抗干扰能力强,有效降低生产成本,具有响应迅速,有利于后续电子电路的检出等优点。 | ||
申请公布号 | CN1657927A | 申请公布日期 | 2005.08.24 |
申请号 | CN200510038023.2 | 申请日期 | 2005.03.08 |
申请人 | 东南大学 | 发明人 | 彭韶华;黄庆安;秦明;张中平 |
分类号 | G01N27/22;G01N27/00 | 主分类号 | G01N27/22 |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陆志斌 |
主权项 | 1、一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器,由衬底(1),氧化层(2),电容下极板(3),电容上极板(4)组成,氧化层(2)设在衬底(1)上,其特征在于电容下极板(3)平铺于氧化层(2)上,电容上极板(4)位于衬底(1)和氧化层(2)的上方。 | ||
地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 |