半导体层结构之MBE成长MBE GROWTH OF A SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE

摘要

一种半导体层结构的分子束磊晶成长方法，包含利用氨做为氮前驱物在第一基材温度(T1)下于一基材上成长第一(铝，镓)氮层(步骤13)后，将该基材冷却(步骤14)至比该第一基材温度低的第二基材温度(T2)，接着运用分子束磊晶法利用氨做为氮前驱物在该第一(铝，镓)氮层上成长一(铟，镓)氮量子井结构(步骤15)，在该第一成长步骤、该冷却步骤、以及该第二成长步骤期间继续维持供给氮至该基材，在该(铟，镓)氮量子井结构的成长完成之后，可以将该基材加热至比该第二基材温度(T2)高的第三温度(T3)后，在该(铟，镓)氮量子井结构上成长第二(铝，镓)氮层(步骤17)。

主权项

1.一种成长半导体层结构之方法,该方法包含如下步骤:藉由MBE法利用氨做为氮前驱物在基材上于第一基材温度下成长第一(铝,镓)氮层;冷却该基材至比该第一基材温度低之第二基材温度,同时继续供给气至该基材;藉由MBE法利用氨做为氮前驱物在该第一(铝,镓)氮层上成长(铟,镓)氮量子井结构;加热该基材至比该第二基材温度高的第三基材温度,同时继续供给氨至该基材;以及藉由MBE法利用氨做为氮前驱物于该第三基材温度下在该量子井结构上成长第二(铝,镓)氮层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一(铝,镓)氮层具有第一导电型式。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二(铝,镓)氮层具有与该第一导电型式不同的第二导电型式。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该第一(铝,镓)氮层系掺杂为n型,而该第二(铝,镓)氮层系掺杂为p型。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中该第一基材温度系在850℃至1050℃范围内。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中该第二基材温度系在650℃至1000℃范围内。7.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中该第三基材温度系在850℃至1050℃范围内。图式简单说明:图1系包含一(铟,镓)氮量子井结构之发光二极体的剖面图式;图2示出本发明成长方法之基材温度和时间的关系;图3示出根据本发明之方法成长的LED之电激发光光谱;以及图4系一适于用来执行本发明之方法的MBE成长设备的图式。