| 主权项 |
1.一种动态调整光碟烧录机烧录功率记忆体配置的方法,一光碟烧录机包含有一烧录功率记忆体,该烧录功率记忆体系包含有一第一记忆区块以及一第二记忆区块分别用来储存一第一可烧录光碟片之至少一笔第一烧录功率资料,以及一第二可烧录光碟片之至少一笔第二烧录功率资料,包含有下列步骤:(a)预先决定该第一记忆区块以及该第二记忆区块之一比例大小;(b)当该第一记忆区块与该第二记忆区块的大小未预先决定时,以二择一之方式选择一第一调整方法或一第二调整方法中调整该第一记忆区块与该第二记忆区块之该比例大小;其中该第一烧录功率资料系由该第一记忆区块之一低记忆位址开始逐笔记录至一高记忆位址,该第二烧录功率资料则由该第二记忆区块之一高记忆位址逐笔记录至一低记忆位址。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一可烧录光碟片为一CD-R或一CD-RW光碟片。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二可烧录光碟片为该CD-R或该CD-RW光碟片。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一调整方法系于已记录之该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料相差一第一预定笔数后启动,且该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小系依据该第一预定笔数调整。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二调整方法系于该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料的纪录总和大于一第二预定笔数后启动,且该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小系计算该已记录之第一烧录功率资料与第二烧录功率资料相对于该已记录第一烧录功率资料与第二烧录功率资料的总和的一比例关系而调整。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一预定笔数与该第二预定笔数系小于该烧录功率记忆体的一最大可记录笔数。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一调整方法另外包含有选择调整该第一记忆区块与该第二记忆区块所能记录之该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料笔数至该最大可记录笔数。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该烧录功率记忆体为一电可抹除可程式化唯读记忆体(ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)。9.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)另外包含有一步骤(c)由一使用者自行输入该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小,或是由另外一步骤(d)采用该光碟烧录机内之一韧体程式预设値决定该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小。10.如申请专利范围第1项之方法,其中当该使用者决定该第一调整方法或该第二调整方法后,该光碟烧录机允许跳脱原有之调整方法以进入另一调整方法下操作。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二记忆区块之低记忆位址系大于该第一记忆区块之高记忆位址。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一记忆区块之低记忆位址系大于该第二记忆区块之高记忆位址。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该光碟烧录机于烧录该第一可烧录光碟片之前,即针对烧录该第一可烧录光碟片记录一笔该第一烧录功率资料于该第一记忆区块中;而当该光碟烧录机于烧录该第二可烧录光碟片之前,则记录一笔该第二烧录功率资料于该第二记忆区块中。14.如申请专利范围第1项之方法,其中该光碟烧录机系针对不同种该第一可烧录光碟片与该第二可烧录光碟片分别由该第一记忆区块低记忆位址与该第二记忆区块高记忆位址开始记录该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该光碟烧录机系针对不同种该第一可烧录光碟片与该第二可烧录光碟片分别由该第一记忆区块高记忆位址与该第二记忆区块低记忆位址开始记录该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料。16.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料系分别为该第一可烧录光碟片与该第二可烧录光碟片之一最佳烧录功率。17.一种动态调整光碟烧录机烧录功率记忆体配置的方法,一光碟烧录机包含有一烧录功率记忆体,该烧录功率记忆体系包含有一第一记忆区块以及一第二记忆区块分别用来储存一第一可烧录光碟片之至少一笔第一烧录功率资料,以及一第二可烧录光碟片之至少一笔第二烧录功率资料,包含有下列步骤:(e)预先决定该第一记忆区块以及该第二记忆区块之一比例大小;(f)当该第一记忆区块与该第二记忆区块的大小未预先决定时,以二择一之方式选择一第一调整方法或一第二调整方法中调整该第一记忆区块与该第二记忆区块之该比例大小;其中该第一烧录功率资料系由该第一记忆区块之一低记忆位址开始逐笔记录至一高记忆位址,该第二烧录功率资料则由该第二记忆区块之一高记忆位址逐笔记录至一低记忆位址;该第一调整方法系于已记录之该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料相差一第一预定笔数后启动,且该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小系依据该第一预定笔数调整;该第二调整方法系于该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料的总和大于一第二预定笔数后启动,且该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小系计算该已记录之第一烧录功率资料与第二烧录功率资料相对于该已记录之第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料的总和间之一比例关系而调整。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该第一可烧录光碟片为一CD-R或一CD-RW光碟片。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该第二可烧录光碟片为该CD-R或该CD-RW光碟片。20.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二预定笔数系小于该烧录功率记忆体的一最大可记录笔数。21.如申请专利范围第17项之方法,其中该记忆体为一电可抹除可程式化唯读记忆体(Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory,EEPROM)。22.如申请专利范围第17项之方法,其中步骤(a)另外包含有一步骤(g)由一使用者自行输入该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小,或是由另外一步骤(h)采用该光碟烧录机内之一韧体程式预设値决定该第一记忆区块与该第二记忆区块的比例大小。23.如申请专利范围第17项之方法,其中当该使用者决定该第一调整方法或该第二调整方法后,该光碟烧录机允许跳脱原有之调整方法以进入另一调整方法下操作。24.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二记忆区块之低记忆位址系大于该第一记忆区块之高记忆位址。25.如申请专利范围第17项之方法,其中该第一记忆区块之低记忆位址系大于该第二记忆区块之高记忆位址。26.如申请专利范围第17项之方法,其中该光碟烧录机于烧录该第一可烧录光碟片之前,即针对烧录该第一可烧录光碟片纪录一笔该第一烧录功率资料于该第一记忆区块中;而当该光碟烧录机于烧录该第二可烧录光碟片之前,则记录一笔该第二烧录功率资料于该第二记忆区块中。27.如申请专利范围第17项之方法,其中该光碟烧录机系针对不同种该第一可烧录光碟片与该第二可烧录光碟片分别由该第一记忆区块低记忆位址与该第二记忆区块高记忆位址开始记录该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料。28.如申请专利范围第17项之方法,其中该光碟烧录机系针对不同种该第一可烧录光碟片与该第二可烧录光碟片分别由该第一记忆区块高记忆位址与该第二记忆区块低记忆位址开始记录该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料。29.如申请专利范围第17项之方法,其中该第一烧录功率资料与该第二烧录功率资料系分别为该第一可烧录光碟片与该第二可烧录光碟片之一最佳烧录功率。图式简单说明:第一图为第一图为采用本发明动态调整光碟烧录机烧录功率记忆体配置方法之烧录功率记忆体记录烧录资料之示意图。第二图A为本发明之动态调整光碟烧录机烧录功率记忆体配置方法的流程图。第二图B为执行第二图A第一调整方法之流程图。第二图C为执行第二图A第二调整方法之流程图。 |
