| 主权项 |
1.一种雷射处理装置,包含有:光学元件,系可形成多数光束,并且于各光束形成焦点者;及光学系统,系可将由该光学元件形成之前述光束之各焦点转印成像于被处理面侧者。2.如申请专利范围第1项之雷射处理装置,其中可使具有前述被处理面之被处理物、前述光学元件或前述光学系统于各光轴方向移动,以改变前述光束对前述被处理面之照射面积。3.一种雷射处理方法,包含有:形成多数光束,并且于各光束形成焦点的步骤;及将前述光束之各焦点转印成像于被处理面侧,且照射光束以对前述被处理面施行雷射处理的步骤。4.如申请专利范围第3项之雷射处理方法,其中前述雷射处理系对前述被处理面照射多次光束,并且该光束对前述被处理面之照射面积相同或不同。5.如申请专利范围第3项之雷射处理方法,系使具有前述被处理面之被处理物、光学元件或光学系统于各光轴方向移动,以改变前述光束对前述被处理面之照射面积。6.如申请专利范围第3、4或5项之雷射处理方法,其中前述雷射处理包含有对前述被处理面之穿孔、表面改质、或热处理,且系对前述被处理面同时施行与前述光束之焦点数量对应之处理者。图式简单说明:第1图是显示本发明第1实施形态之雷射处理装置的图。第2图是显示微透镜阵列及缩小转印光学系统之处理的图。第3图是显示缩小转印光学系统之一例的图。第4图显示由缩小转印光学系统形成之焦点形态,(A)是显示假想被处理面侧之焦点的图,(B)是显示被处理面侧之焦点的图。第5图显示微透镜之聚光形态,(A)是显示标准聚光状态的图,(B)是显示已调整焦点位置之状态之聚光形态的图。第6图是显示第1实施形态之雷射处理装置之变形例的图。第7图是显示本发明第2实施形态之雷射处理装置的图。第8图(A)~(C)是显示利用本发明第3实施形态之雷射处理方法施行之雷射种晶热处理的图。第9图(A)~(C)是显示利用本发明第3实施形态之雷射处理方法施行之雷射种晶热处理的图。第10图(A)~(C)是显示利用本发明第4实施形态之雷射处理方法施行之柱坑孔穿孔处理的图。第11图(A)~(C)是显示利用本发明第4实施形态之雷射处理方法施行之柱坑孔穿孔处理的图。 |
