| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:具备,形成了多数的电路单元(circuit cell)之半导体层,暴露出于该半导体层的主表面之多数的电流通过区及控制区,于上述主表面上,电气性的连接于上述电流通过区之第1配线层,及于上述主表面上,电气性的连接于上述第1配线层之电流通过电极垫部;上述第1配线层系由,第1主配线部及从该第1主配线部往一方向延伸之多数的第1分枝配线部所组成,而上述第1主配线部的配线宽度较上述第1分枝配线部的配线宽度还宽。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述第1主配线部的一端系连接于上述通过电极垫部,上述第1主配线部的一端的配线宽度,较上述第1主配线部的另一端的配线宽度还宽。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述第1主配线部系以,该配线宽度从上述一端往上述另一端变窄的方式而延伸。4.如申请专利范围第1项至第3项中的任一项之半导体装置,其中,上述半导体层系由形成有上述电路单元的实际动作区及非实际动作区所构成,而上述第1主配线部系配置于上述非实际动作区的主表面上。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,具备电气性的连接于上述控制区之第2配线层,而上述第2配线层系由,第2主配线部及从该第2主配线部往一方向延伸之多数的第2分枝配线部所构成,而上述第1分枝配线部系与上述第2分枝配线部交互配置。6.一种半导体装置,其特征为:具备,构成汲极区之一导电型的半导体基板及叠层于该基板表面之一导电型的磊晶层,以实质上形成等间隔而互为平行的方式,从上述磊晶层表面所形成之多数的沟渠,于上述沟渠的内壁形成绝缘膜,并由,以覆盖上述绝缘膜的方式填入于上述沟渠内的逆导电型的多晶矽所构成之固定电位绝缘电极,位于上述沟渠之间,并与上述固定电位绝缘电极保持为相同电位之一导电型的源极区,与上述源极区隔离并有至少一部分邻接于上述绝缘膜的方式而配置之闸极区,以及位于上述固定电位绝缘电极之间,并位于至少为上述源极区的下方之通道区;于上述磊晶层的表面上,电气性的连接于上述源极区之源极配线层系由,源极主配线部及从该源极主配线部往一方向延伸之多数的源极分枝配线部所构成,而上述源极主配线部的配线宽度系较上述源极分枝配线部的配线宽度还宽。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,上述源极主配线部的一端系连接于源极垫部,上述源极主配线部的一端的配线宽度,系较上述源极主配线部的另一端的配线宽度还宽。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中,上述源极主配线部系以,该配线宽度从上述一端往上述另一端变窄的方式而延伸。9.如申请专利范围第6项至第8项中的任一项之半导体装置,其中,上述磊晶层系由实际动作区及非实际动作区所构成,而上述源极主配线部系配置于上述非实际动作区的磊晶层上。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中,于上述磊晶层的表面上,电气性的连接于上述闸极区之闸极配线层系由,闸极主配线部及从该闸极主配线部往一方向延伸之多数的闸极分枝配线部所构成,而上述源极分枝配线部与上述闸极分枝配线部系交互配置。图式简单说明:第1图系显示,用于说明本发明的半导体装置之(A)斜视图,(B)俯视图。第2图系显示,用于说明本发明的半导体装置之(A)剖面图,(B)剖面图。第3图系显示,用于说明本发明的半导体装置之(A)能带(Energy Band),(B)OFF之际的通道区。第4图系显示,用于说明本发明的半导体装置的配线构造之俯视图。第5图系显示,用于说明本发明的半导体装置的配线构造之(A)俯视图,(B)俯视图,(C)俯视图。第6图系显示,(A)用于说明本发明的半导体装置的配线构造之俯视图,(B)用于说明以往的半导体装置的配线构造之俯视图。第7图系显示,本发明及以往的半导体装置之于配线部的电压下降之特性图。第8图系显示,(A)本发明的半导体元件之,于本发明的配线构造下的驱动电压及主电流的关系之特性图,(B)本发明的半导体元件之,于以往的配线构造下的驱动电压及主电流的关系之特性图。第9图系显示,(A)双载子电晶体元件之,于本发明的配线构造下的驱动电压及主电流的关系之特性图,(B)双载子电晶体元件之,于以往的配线构造下的驱动电压及主电流的关系之特性图。第10图系显示,用于说明以往的半导体装置之(A)斜视图,(B)俯视图。第11图系显示,用于说明以往的半导体装置之(A)剖面图,(B)剖面图。 |
