| 主权项 |
1.一种主动型有机电致发光显示装置,其系形成有 薄膜电晶体者,其特征在于:在接于有机电致发光 层之透明电极与将来自有机电致发光层之发光取 出于外部之面之间,形成膜中具有微小空孔之多孔 质且含有SiO之多孔质绝缘膜,前述多孔质绝缘膜之 膜密度具有0.6g/cm3以上1.8g/cm3以下之特性,膜折射 率具有比前述透明电极低之特性者。 2.一种主动型有机电致发光显示装置,其系将光取 出于形成有薄膜电晶体之透明基板侧之底部发射 构造者,其特征在于:形成于接于有机电致发光层 之透明电极与透明基板之间之绝缘膜层之至少1层 系形成膜中具有微小空孔之多孔质且含有SiO之多 孔质绝缘膜,前述多孔质绝缘膜之膜密度具有0.6g/ cm3以上1.8g/cm3以下之特性,膜折射率具有比前述透 明电极低之特性者。 3.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其中 前述多孔质绝缘膜系接于前述透明电极者。 4.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其中 前述多孔质绝缘膜之膜折射率具有比前述透明基 板低之特性者。 5.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其中 前述多孔质绝缘膜中之空孔径主要构成成分具有0 .2nm以上5.0nm以下之特性者。 6.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其中 前述多孔质绝缘膜中之平均空孔径具有0.6nm以上3. 0nm以下之特性者。 7.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其中 前述多孔质绝缘膜中之极大空孔径具有0.3nm以上2. 0nm以下之特性者。 8.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其中 前述多孔质绝缘膜之可见光波长区域之透过率具 有80%以上之特性者。 9.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其中 前述多孔质绝缘膜系加热以含氢的矽酸盐化合物 或含甲基的矽酸盐化合物为主成分之涂敷膜所得 之含有SiO之绝缘膜者。 10.如请求项9之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜系在300℃以上450℃以下之条 件加热以含氢的矽酸盐化合物或含甲基的矽酸盐 化合物为主成分之涂敷膜所得之含有SiO之绝缘膜 者。 11.如请求项1之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜系藉由使用以烷基矽烷化合 物或烷氧基矽烷化合物为主成分之来源气体之化 学气相生长反应所形成之含有SiO之绝缘膜者。 12.如请求项11之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜系藉由使用以烷基矽烷化合 物或烷氧基矽烷化合物为主成分之来源气体之化 学气相生长反应形成膜后,以300℃以上450℃以下之 条件加热所得之SiO之绝缘膜者。 13.一种主动型有机电致发光显示装置之制造方法, 其系将光取出于形成有薄膜电晶体之透明基板侧 之底部发射构造之主动型有机电致发光显示装置 之制造方法,其特征在于:在形成于接于有机电致 发光层之透明电极与透明基板之间之绝缘膜层之 至少1层,形成膜中具有微小空孔之多孔质且含有 SiO之多孔质绝缘膜,以前述多孔质绝缘膜之膜密度 具有0.6g/cm3以上1.8g/cm3以下之特性,膜折射率具有 比前述透明电极低之特性之方式控制而形成者。 14.如请求项13之主动型有机电致发光显示装置之 制造方法,其中前述多孔质绝缘膜系加热以含氢的 矽酸盐化合物或含甲基的矽酸盐化合物为主成分 之涂敷膜而含有SiO之绝缘膜者。 15.如请求项14之主动型有机电致发光显示装置之 制造方法,其中前述多孔质绝缘膜系在加热形成以 含氢的矽酸盐化合物或含甲基的矽酸盐化合物为 主成分之涂敷膜后,以最终温度300℃以上450℃以下 之条件加热而形成者。 16.如请求项13之主动型有机电致发光显示装置之 制造方法,其中前述多孔质绝缘膜系藉由使用以烷 基矽烷化合物或烷氧基矽烷化合物为主成分之来 源气体之化学气相生长反应所形成之含有SiO之绝 缘膜者。 17.如请求项16之主动型有机电致发光显示装置之 制造方法,其中前述多孔质绝缘膜系藉由使用以烷 基矽烷化合物或烷氧基矽烷化合物为主成分之来 源气体之化学气相生长反应形成膜后,以最终温度 300℃以上450℃以下之条件加热而形成者。 18.一种主动型有机电致发光显示装置,其系将光取 出于与形成有薄膜电晶体之基板相反方向之顶部 发射构造者,其特征在于:在接于有机电致发光层 之透明电极与取出来自有机电致发光层之发光之 面之间,形成膜中具有微小空孔之多孔质且含有SiO 之多孔质绝缘膜,前述多孔质绝缘膜之膜密度具有 0.6g/cm3以上1.8g/cm3以下之特性,膜折射率具有比前 述透明电极低之特性者。 19.一种主动型有机电致发光显示装置,其系将光取 出于与形成有薄膜电晶体之基板相反方向之顶部 发射构造者,其特征在于:在接于有机电致发光层 之透明电极与取出来自有机电致发光层之发光之 面之间,形成膜中具有微小空孔之多孔质且含有SiO 之多孔质绝缘膜,前述多孔质绝缘膜之膜密度具有 0.6g/cm3以上1.8g/cm3以下之特性,膜折射率具有比前 述透明电极低之特性,在前述多孔质绝缘膜上形成 有不透过氧、可见光波长区域之透过率80%以上且 具有防湿特性之保护膜所构成者。 20.如请求项19之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜之折射率具有比前述保护膜 低之特性者。 21.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜中之空孔径主要构成成分具 有0.2nm以上5.0nm以下之特性者。 22.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜中之平均空孔径具有0.6nm以 上3.0 nm以下之特性者。 23.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜中之极大空孔径具有0.3nm以 上2.0 nm以下之特性者。 24.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜之可见光波长区域之透过率 具有80%以上之特性者。 25.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜系加热以含氢的矽酸盐化合 物或含甲基的矽酸盐化合物为主成分之涂敷膜所 得之含有SiO之绝缘膜者。 26.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜系在形成以含氢的矽酸盐化 合物或含甲基的矽酸盐化合物为主成分之涂敷膜 后,以250℃以下之条件加热所得之含有SiO之绝缘膜 者。 27.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜系藉由使用以烷基矽烷化合 物或烷氧基矽烷化合物为主成分之来源气体之化 学气相生长反应所形成之含有SiO之绝缘膜者。 28.如请求项18之主动型有机电致发光显示装置,其 中前述多孔质绝缘膜系在藉由使用以烷基矽烷化 合物或烷氧基矽烷化合物为主成分之来源气体之 化学气相生长反应形成膜后,以250℃以下之条件加 热所得之含有SiO之绝缘膜者。 图式简单说明: 图1系说明本发明之底部发射构造之主动型有机EL 显示装置用之剖面图。 图2系说明本发明之顶部发射构造之主动型有机EL 显示装置用之剖面图。 图3(a)-(f)系制造本发明之底部发射构造之主动型 有机EL显示装置用之工序之说明图。 图4系在实施例1与比较例1中,对有机EL显示装置所 测定之可见光波长区域之EL光谱强度之比较图。 |
