| 主权项 |
1.一种同轴导波管微结构,包含: 一基材;以及 配置在该基材之上的一同轴导波管,该同轴导波管 包含: 一中心导体; 包含一个或多个壁之一外围导体,该外围导体系与 该中心导体间隔开,且配置在该中心导体附近; 一个或多个介电质支承构件,用以支承该中心导体 ,该介电质支承构件系与该中心导体接触,且被包 封在该外围导体之内;以及 介于该中心导体与该外围导体之间的一核心容积, 其中该核心容积系处于真空状态或一气体状态下 。 2.如申请专利范围第1项之同轴导波管微结构,其中 该外围导体包含第一侧壁,且该复数个介电质支承 构件具有嵌入该第一侧壁且延伸到该中心导体之 下的第一末端部分。 3.如申请专利范围第2项之同轴导波管微结构,其中 该外围导体包含在该第一侧壁对面的第二侧壁,且 第二复数个介电质支承构件具有嵌入该第二侧壁 且延伸到该中心导体之下的第一末端部分。 4.如申请专利范围第3项之同轴导波管微结构,其中 该等介电质支承构件之形式为支撑柱,且该等支撑 柱具有在该外围导体的一内表面上之第一末端以 及与该中心导体接触之第二末端。 5.如申请专利范围第1项之同轴导波管微结构,包含 复数个导波管,其中该等导波管系以一堆叠式配置 之方式呈现。 6.如申请专利范围第5项之同轴导波管微结构,其中 系以一个或多个通孔将复数个该等导波管接合在 一起。 7.如申请专利范围第1项之同轴导波管微结构,包含 复数个该等介电质支承构件,其中该同轴导波管具 有一大致为长方形之同轴结构。 8.一种密封式构装,包含如申请专利范围第1项之同 轴导波管微结构。 9.一种以一循序建立的制程来形成根据申请专利 范围第1项至第8项中之任一项的同轴导波管微结 构之方法,该方法包含下列步骤: (a)在一基材之上沈积复数个层,其中该等层包含金 属材料、牺牲光阻材料、及介电质材料中之一种 或多种材料,藉此在该基材之上形成一结构,该结 构包含: 一中心导体; 包含一个或多个壁之一外围导体,该外围导体系与 该中心导体间隔开,且配置在该中心导体附近; 一个或多个介电质支承构件,用以支承该中心导体 ,该介电质支承构件系与该中心导体接触,且被包 封在该外围导体之内;以及 介于该中心导体与该外围导体之间的一核心容积, 其中该核心容积包含牺牲光阻;以及 (b)自该核心容积移除该牺牲光阻。 10.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含下列 步骤:在步骤(b)之后,使该基材与该结构分离。 图式简单说明: 第1A及B图示出习知同轴导波管微结构之横断面图; 第2图至第13图示出根据本发明的各形成阶段中之 第一例示同轴导波管微结构之横断面图及俯视图; 第14图至第26图示出根据本发明的各形成阶段中之 第二例示同轴导波管微结构之横断面图及俯视图; 第27图至第28图分别示出在根据本发明的堆叠式配 置中之复数个第一及第二例示同轴导波管微结构 之横断面图; 第29图至第31图示出根据本发明而以通孔连接的堆 叠式配置中之若干例示同轴导波管微结构之横断 面图; 第32图示出根据本发明之两个导波管,分别为信号 或功率偶合器; 第33A及B图示出根据本发明用于在同轴与非同轴导 波管微结构之间转变的例示结构; 第34图示出根据本发明以可挠性结构连接到基材 之例示导波管微结构; 第35图示出根据本发明避免同轴导波管微结构受 到污染之例示护盖结构; 第36图至第38图示出根据本发明的连接导波管微结 构之各种例示结构;以及 第39图示出根据本发明的例示同轴导波管微结构 及附着在该微结构的焊料。 |
