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发明名称 Verfahren zum Bilden eines Isolationsbereichs in einem Halbleitersubstrat
摘要
申请公布号 DE19823742(B4) 申请公布日期 2005.08.18
申请号 DE19981023742 申请日期 1998.05.27
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. 发明人 JANG, SE AUG;KIM, YOUNG BOG;YEO, IN SEOK;KIM, JONG CHOUL
分类号 H01L21/316;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
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