| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光器件，包括：衬底，具有第一主表面和第二主表面；发光层，设置在衬底的第一主表面上的第一部分中；第一电极，设置在发光层上；第二电极，设置在衬底的第一主表面上的第二部分中，其中第二部分与第一部分不同；以及突起，设置在衬底的第二主表面上，其中突起具有平面形状，该平面形状反映了发光层的发光区的平面形状，发光区夹在第一电极和第二电极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1655372A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN200510054194.4 | 申请日期 | 2005.02.08 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 安田秀文;加藤夕子;古川和由 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光器件，包括：衬底，具有第一主表面和第二主表面；发光层，设置在所述衬底的第一主表面上的第一部分中；第一电极，设置在所述发光层上；第二电极，设置在所述衬底的第一主表面上的第二部分中，其中所述第二部分与所述第一部分不同；以及突起，设置在所述衬底的第二主表面上，其中所述突起具有平面形状，所述平面形状反映了所述发光层的发光区的平面形状，所述发光区夹在所述第一电极和所述第二电极之间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||