| 发明名称 | 半导体光电面、其制造方法及使用该半导体光电面的光检测管 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体光电面具有：支承基板(10)；在该支承基板(10)上，层叠多个半导体层而形成，响应被测光的入射，从光电子放出面(341)放出光电子的光电面(30)，和形成为膜状以覆盖上述支承基板(10)的至少一部分和上述光电面(30)的一部分的、与上述光电面欧姆接触的膜状金属电极(35)。上述膜状金属电极(30)包含钛，作为上述膜状金属电极(35)上没有被覆盖的上述光电面30的露出部分的上述电子放出面(341)，成为电子亲和力为负的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1656594A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN03811610.3 | 申请日期 | 2003.05.21 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 可野泰行;永井俊光;长谷川宽 |
| 分类号 | H01J40/06;H01J1/34;H01J7/18;H01J9/12 | 主分类号 | H01J40/06 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体光电面，其特征在于，具有：支承基板；在该支承基板上层叠多个半导体层而形成的、响应被检测光的入射并从光电子放出面放出光电子的光电面；和形成为膜状以覆盖所述支承基板的至少一部分和所述光电面的一部分的、与所述光电面欧姆接触的膜状金属电极，所述膜状金属电极包含钛，作为所述膜状金属电极上没有被覆盖的所述光电面的露出部分的所述光电子放出面，成为电子亲和力为负的状态。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||