用于溅射和再溅射的自离子化及电感耦合等离子体

摘要

公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。

主权项

1、一种将金属沉积在孔中的方法，所述孔具有至少4∶1的纵横比并在衬底的电介质层中形成，该方法包括：在室中的电感耦合等离子体中，将包括金属的沉积材料溅射沉积到所述孔中；和在室中的自离子化等离子体中，将包括金属的沉积材料溅射沉积到所述孔中。