发明名称 | 影像感测器的制作方法 | ||
摘要 | 本发明揭露一种影像感测器(image sensor)的制作方法。该影像感测器制作于一包括一感测器阵列区域的半导体基底上。首先在该半导体基底上形成一R/G/B彩色滤光阵列(color filter array,CFA),然后在该彩色滤光阵列上形成一间隔层,再在该间隔层上形成多个聚光镜,其中该彩色滤光阵列以及该聚光镜是设置于相对应的该感测器阵列区域上方,之后涂布一缓冲层填入相邻两聚光镜之间的空间,并在该缓冲层以及该聚光镜上方沉积一保护层,该保护层的形成温度需在300℃以下,以避免影响该彩色滤光阵列。 | ||
申请公布号 | CN1215552C | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
申请号 | CN02103356.0 | 申请日期 | 2002.01.30 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈则敬;陈庆忠;林东和;林震宾;林启荣 |
分类号 | H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/82 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种在一半导体基底上制作一影像感测器的方法,其中该半导体基底包括一感测器阵列区域,该方法包括下列步骤:在该半导体基底上形成一平坦化层;在该平坦化层上形成一R/G/B彩色滤光阵列,其中该彩色滤光阵列设置于相对应的该感测器阵列区域上方;在该彩色滤光阵列上形成一间隔层;在该间隔层上形成多个聚光镜,其中该聚光镜设置于相对应的该彩色滤光阵列上方,且相邻两聚光镜之间有一空间;至少于该些聚光镜与聚光镜间的空间涂布一缓冲层;以及在该缓冲层以及该聚光镜上方沉积一保护层,以防止聚光镜受到污染。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |