发明名称 耐抗因暴露于辐射而引起之降解作用的液晶晶胞
摘要 本发明的实施例包含耐抗UV光的液晶穴。本发明之一实施例系增加储存在该晶穴内的液晶材料体积。例如,沟槽可被用来形成贮槽以容纳额外添加的液晶材料。本发明的另一实施例系在晶穴内使用一无机配向层,来取代用一有机材料作为配向层。本发明之又另一实施例系使用一泵来使液晶材料循环流过该晶穴。该创新的晶穴可在光微影显像系统中作为一空间光调制器(SLM)。
申请公布号 TW200527037 申请公布日期 2005.08.16
申请号 TW093120454 申请日期 2004.07.08
申请人 安捷伦科技公司 发明人 霍克;罗伯里斯;海尔宾;西村
分类号 G02F1/13 主分类号 G02F1/13
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国