| 摘要 |
由于以III族氮化物系化合物为首之形成发光元件的材料之折射率系高出空气相当多，因此，知之半导体元件，在其构造上，在活性层发光的光出射放空气中时，由半导体层入射至空气中的入射角必须低于临界角，当入射角超过临界角时将无法出射至空气中，而形成全反射。为解决上述课题，本发明系一种具备有基板，以及在该基板上至少依序具备有第1半导体层、活性层、第2半导体层的半导体发光元件，该第2半导体层具有与该第1半导体层相异的极性，且该活性层之露出的侧面之该第1半导体层、该活性层以及该第2半导体层的面积之合计系达该第2半导体层侧之露出上面的面积的5％以上。 |
