发明名称 |
使用全相位和修剪掩膜的临界尺寸控制 |
摘要 |
为了在晶片上印刷子波长特征,可以使用包括全相位PSM(FPSM)和相应修剪掩模的掩模组。特别是在非临界区,在FPSM上的相位分配导致用修剪掩模限定一些特征。遗憾的是,这个有限特征限定引起这些非临界区中临界尺寸(CD)大变化。通过在诸如T形交叉点、肘形和其它类型交线的非临界区中限定多个特征边缘部分,既使掩模基本有偏差,也可以更好地控制不理想的临界尺寸(CD)。 |
申请公布号 |
CN1653389A |
申请公布日期 |
2005.08.10 |
申请号 |
CN03804271.1 |
申请日期 |
2003.02.25 |
申请人 |
数字技术股份有限公司 |
发明人 |
C·皮亚拉特 |
分类号 |
G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26;G03F9/00;G06F17/50 |
主分类号 |
G03F7/00 |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李家麟 |
主权项 |
1.一种提高晶片材料层中特征的临界尺寸控制(CD)的方法,该方法包括:用全相移掩模(FPSM)限定特征的临界边缘部分,FPSM包括在相邻移相器之间的第一组切口,以使用FPSM解决限定特征的相位冲突,和接近第一切口的第二切口,用修剪掩模限定接近第一组切口的边缘部分;和用修剪掩模限定对应于第二组切口的非临界边缘部分。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |