发明名称 使用全相位和修剪掩膜的临界尺寸控制
摘要 为了在晶片上印刷子波长特征,可以使用包括全相位PSM(FPSM)和相应修剪掩模的掩模组。特别是在非临界区,在FPSM上的相位分配导致用修剪掩模限定一些特征。遗憾的是,这个有限特征限定引起这些非临界区中临界尺寸(CD)大变化。通过在诸如T形交叉点、肘形和其它类型交线的非临界区中限定多个特征边缘部分,既使掩模基本有偏差,也可以更好地控制不理想的临界尺寸(CD)。
申请公布号 CN1653389A 申请公布日期 2005.08.10
申请号 CN03804271.1 申请日期 2003.02.25
申请人 数字技术股份有限公司 发明人 C·皮亚拉特
分类号 G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26;G03F9/00;G06F17/50 主分类号 G03F7/00
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 李家麟
主权项 1.一种提高晶片材料层中特征的临界尺寸控制(CD)的方法,该方法包括:用全相移掩模(FPSM)限定特征的临界边缘部分,FPSM包括在相邻移相器之间的第一组切口,以使用FPSM解决限定特征的相位冲突,和接近第一切口的第二切口,用修剪掩模限定接近第一组切口的边缘部分;和用修剪掩模限定对应于第二组切口的非临界边缘部分。
地址 美国加利福尼亚州