发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部,由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71),电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成,配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部,使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构,可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力,能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。 |
申请公布号 |
CN1652329A |
申请公布日期 |
2005.08.10 |
申请号 |
CN200510009184.9 |
申请日期 |
2005.02.05 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
三村忠昭;滨谷毅;水谷笃人;植田贤治 |
分类号 |
H01L23/485;H01L23/522;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/485 |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
臧霁晨 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,作为外部连接用电极的焊盘部,由形成于最上层的第1焊盘金属层、夹着层间绝缘膜形成于所述第1焊盘金属层之下的第2焊盘金属层、以及贯通所述层间绝缘膜,电气连接第1焊盘金属层与第2焊盘金属层的通路构成,互相偏移地配置所述第1焊盘金属层的端部与第2焊盘金属层的端部,使其沿各层的厚度方向不一致。 |
地址 |
日本大阪府 |