双室离子束溅射淀积系统

摘要

一种双室淀积系统包括两个离子束溅射(IBS)淀积室，它们通过晶片装卸室连接，用于以提高的工艺生产率淀积多层薄膜结构。可以在隔离的IBS淀积室中，在衬底上进行反应离子束溅射淀积和金属层淀积，同时保持整个工艺的真空条件。具有AFM层的自旋阀(SV)磁阻传感器各层的离子束溅射淀积工艺，提高了系统的生产率，同时保持了SV传感器的性能，其中所说AFM层由在与随后的金属层淀积隔离的IBS淀积室中进行的NiO的反应溅射淀积形成的NiO构成。

主权项

1.一种在双室淀积系统中制造自旋阀磁阻传感器的工艺，所说系统包括第一离子束溅射淀积室、第二离子束溅射淀积室及晶片装卸室，所说工艺包括以下步骤：a)在所说第一离子束溅射淀积室中，在衬底上反应溅射淀积抗铁磁层；b)在真空条件下，将所说衬底从所说第一离子束溅射淀积室移到所说第二离子束溅射淀积室；及c)在受控的保持时间之后，在所说第二离子束溅射淀积室中，在所说抗铁磁层上溅射淀积第一铁磁层，所述受控的保持时间是在完成所述第一离子束溅射淀积室中的所述抗铁磁层的反应溅射淀积步骤和开始所述第二离子束溅射淀积室中的所述第一铁磁层的溅射淀积步骤之间的时间间隔，其中所述受控的保持时间调节在2-5分钟的范围。