多晶栅导电层构成的集成微机电系统器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种“后半导体工艺”集成电路器件及MEMS器件的整体制备方法，用这些制备方法可以实现的结构，以及用这些结构组合成的集成MEMS器件。根据本发明的方法，在完成半导体工艺的半导体基片上生成某些低温工艺(这里指低于400℃的工艺)制作的膜，此膜与半导体基片上固有的多晶栅导电层共同构成复合膜。接下来，在此膜上再次生成某些低温工艺制作的膜，来做为牺牲膜；在牺牲膜上再次生成某些低温工艺制作的单材料或者复合材料的膜，来做为MEMS器件的另外一层结构层；最后此器件可以用干法刻蚀、湿法腐蚀或者干法刻蚀和湿法腐蚀的组合去掉牺牲膜，释放形成最终的MEMS器件。

主权项

1.一种多晶栅导电层构成的集成微机电系统器件的制备方法，具体包括以下步骤：在完成半导体工艺的半导体基片上生成低温工艺制作的膜，此膜与半导体基片上固有的多晶栅导电层共同构成复合膜；然后将该复合膜用干法刻蚀、湿法腐蚀或者干法刻蚀和湿法腐蚀的组合形成MEMS器件图形。