发明名称 金刚石单晶合成衬底及其制造方法
摘要 一种金刚石单晶合成衬底,该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成,并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合,其中除了一个金刚石单晶衬底之外,所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度,所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度,当金刚石单晶衬底并排设置时,所述一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中,而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向{100}朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向,然后通过汽相合成生长金刚石单晶体,从而使从所述一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体,来获得全面的整合。
申请公布号 CN1651616A 申请公布日期 2005.08.10
申请号 CN200410100663.7 申请日期 2004.12.07
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 目黑贵一;山本喜之;今井贵浩
分类号 C30B25/20;C30B29/04;H01L21/365 主分类号 C30B25/20
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 程金山
主权项 1.一种金刚石单晶合成衬底,该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成,并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合,其中除了一个金刚石单晶衬底之外,所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度,所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度,当金刚石单晶衬底并排设置时,所述一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中,而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向<100>朝向所设置衬底外侧的外周缘方向,然后金刚石单晶体通过汽相合成生长,从而使从所述一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其它衬底上生长的金刚石单晶体,来获得全面的整合。
地址 日本大阪府
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