| 发明名称 | 用于MOS栅器件的表面几何结构 | ||
| 摘要 | 提供了用于MOS栅器件的表面几何结构，它允许通过预定增量使器件的尺寸在x轴和y轴发生改变。实际器件尺寸通过金属和焊盘掩模或接触金属和焊盘掩模来设置或“编程”。这种方法既节省时间又节约费用。示出了一个7×9阵列(11)的相同贴片(13)。 | ||
| 申请公布号 | CN1653602A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN03810609.4 | 申请日期 | 2003.05.09 |
| 申请人 | 通用半导体公司 | 发明人 | 理查德·A·布朗夏尔 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/76 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种制造MOS栅器件的方法，包括以下步骤：提供多个不连续贴片，所述多个贴片中的每一个贴片具有至少一个源区和至少一个体区；及将贴片组装成阵列，以便形成MOS栅器件。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||