发明名称 METHOD OF FORMING A FIELD OXIDE IN FLASH MEMORY DEVICES
摘要
申请公布号 KR20050079551(A) 申请公布日期 2005.08.10
申请号 KR20040008039 申请日期 2004.02.06
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 LEE, BYOUNG KI
分类号 H01L21/8247;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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