半导体晶片的制造方法

摘要

一种供有抛壳流体、在持续一抛光时间的抛光周期内、于转动抛光盘的间同时抛光半导体晶片正面及背面以制造半导体晶片的方法，该半导体晶片位于一支座的切除部内且固定于一既定的几何路线上，该支座具有既定的支座厚度，该半导体晶片具有抛光前的起始厚度及抛光后的最终厚度，其中该抛光所需的抛光时间是由若干数据计算得来，这些数据包含：起始厚度及支座厚度以及于当前抛光周期之前的上一抛光周期内被抛光的半导体晶片的起始厚度、最终厚度及平面度。

主权项

1.一种供有抛光流体、在持续一抛光时间的抛光周期内、于转动抛光盘之间同时抛光半导体晶片正面及背面以制造半导体晶片的方法，该半导体晶片位于一支座的切除部内且固定于—既定的几何路线上，该支座具有既定的支座厚度，该半导体晶片具有抛光前的起始厚度及抛光后的最终厚度，其中该抛光周期的抛光时间是由若干数据计算得来，这些数据包含：半导体晶片的起始厚度及支座厚度以及于当前抛光周期之前的上一抛光周期内被抛光的半导体晶片的起始厚度、最终厚度及平面度。