发明名称 | 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器 | ||
摘要 | 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括:最好用半导体形成的基底,如,硅,或电介质材料构成,固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线,以及跨越信号线连接在地线间的桥体,其中桥体受到外驱动力的作用,外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地,通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配,减少插入损耗,由于其基于传输线路所具有的特性阻抗,可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。 | ||
申请公布号 | CN1213306C | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
申请号 | CN03138453.6 | 申请日期 | 2003.04.16 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 沈东河;宋寅相;金永一;朴仙姬;弘荣泽;闵桐基 |
分类号 | G01R21/00 | 主分类号 | G01R21/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 魏晓刚;李晓舒 |
主权项 | 1.一种射频功率传感器包括:电介质材料基底;固定在基底上的固定部件,其位于基底的上侧面并构成用于传输射频信号的信号线和地线;和连接到地线并跨越信号线路的桥体,其中,桥体受到外驱动力的作用,外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |