| 发明名称 | 双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法，其特征在于该晶体的结构式为：Ca<SUB>3z/2</SUB>Nd<SUB>3y</SUB>Gd<SUB>3(1－y－z/2)</SUB>Ga<SUB>5－x</SUB>Cr<SUB>x</SUB>O<SUB>12</SUB>，主要是采用氧化钆、氧化镓、氧化钕、氧化铬、氧化钙为原料按照比例采用固相合成法制备原料，在98％氮气+2％氧气条件下采用提拉法生长自调Q激光晶体。本发明方法制备的双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体，在垂直于晶体生长方向的平面内，离子浓度差小于1％，具有大尺寸高质量的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN1648288A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN200410084640.1 | 申请日期 | 2004.11.26 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 赵志伟;徐军;邓佩珍;姜本学;郭华 |
| 分类号 | C30B29/28;C30B15/00;H01S3/16 | 主分类号 | C30B29/28 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体，其特征在于该晶体的结构式为：Ca3z/2Nd3yGd3(1-y-z/2)Ga5-xCrxO12。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||