| 发明名称 | 化合物半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是以提供一种不会使化合物半导体装置的特性降低而可以去除有机残留物的化合物半导体装置的制造方法为目的。在露出的i型AlGaAs肖特基层(105)上蒸镀由Ti/Al/Ti构成的肖特基电极(111)，使用剥离液进行提离后，用臭氧浓度为13mg/L的臭氧水和氢离子浓度为6～8的氢水之中的一种或两种在避光状态下对i型AlGaAs肖特基层(105)表面进行清洗。 | ||
| 申请公布号 | CN1649101A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN200410089891.9 | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 加藤由明;山口恒夫;田村彰良 |
| 分类号 | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于：包括在化合物半导体层上形成抗蚀图形的图形形成工序、和去除所述抗蚀图形后，使用臭氧水和氢水之中的至少一种对所述化合物半导体层表面进行清洗的去除工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||