垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法

摘要

在此公开了一种极高密度现场可编程存储器。在衬底上利用几层(51a1，51a2，51b2)垂直地形成一个阵列，每个层(51a1)包括垂直构成的存储器单元。一个N层阵列中的单元可以利用N+1个掩膜步骤加接触所需要的掩膜步骤形成。最大限度利用自对准技术使光刻缺陷最小。在一个实施例中，外围电路形成在硅衬底上并且在该衬底上构成一个N层阵列。

主权项

1.一种存储器阵列，包括：第一组间隔分开、平行、同平面的导体；第二组间隔分开、平行、同平面的导体，垂直配置在第一组导体之上并且与第一组导体间隔分开，所述第一组导体和第二组导体相互正交；和一组第一存储器单元，每个包括与第一状态改变元件接触的第一引导元件，当编程时每个单元直接配置在第一组导体之一和第二组导体之一之间，并且位于第一导体的垂直投影与第二导体交叉处，第三组间隔分开、平行、同平面的导体，垂直配置在第二组导体之上并且与第二组导体间隔分开，该第三组导体与第一组导体相同方向走向，一组第二存储器单元，每个包括与第二状态改变元件接触的第二引导元件，当编程时每个单元直接配置在第二组导体之一和第三组导体之一之间，并且位于第二导体的垂直投影与第三导体交叉处。