硬光罩之后电浆清除方法

摘要

本发明提供一种制造一半导体装置之方法，其包括一种制造一半导体装置之方法，其包含：通过一位于一半导体基板225上方之图案化硬遮罩层210进行电浆蚀刻250，其中该电浆蚀刻在该硬遮罩层210上形成一修改层210a；并藉由将该修改层210a曝露于一后电浆清除方法来移除该修改层210a之至少一实质部分。