| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,其包括以下步骤:提供一具有较下层之半导体基板;以及形成至少含有两层薄膜之层叠膜来防止在随后执行之制程中使用的溶液渗入该较下层,同时对该两层式膜中较下层之较上表面执行一N2清除制程,以使该等薄膜之接触面处具有不同之晶界结构,并藉此改变该较下层薄膜之该较上表面之该晶界结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该两层式膜系多晶矽层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮(N2)清除制程系于沈积该较下层薄膜之原处执行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮(N2)清除制程系使用氮气(N2)、在0.1托(Torr)至0.5托(Torr)范围内之压力下、以及580℃至650℃之间之温度上执行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该两层式膜系透过一沈积制程而形成,该沈积制程系用SiH4气、在0.1托(Torr)至0.5托(Torr)范围内之压力下、以及580℃至650℃范围内之温度上执行。图式简单说明:图1至图6系用于说明依照本发明之较佳具体实施例之半导体装置制造方法之截面示意图;图7显示一如图2及图4所示之第一及第二多晶矽膜之上面之晶界结构示意图;图8A及图8B显示透过执行图3及图5中之氮(N2)清除制程用N置换Si之示意图。 |
