发明名称 金属氧化物分散体
摘要 本发明系有关,藉低温加热处理,可于基材上形成金属薄膜的粒径不及200奈米之金属氧化物在分散媒体之金属氧化物分散体。以该分散体涂布于基板后经加热处理,可形成金属薄膜。
申请公布号 TWI236931 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW091136403 申请日期 2002.12.17
申请人 旭化成股份有限公司 发明人 丸山睦弘
分类号 B01F17/38;B01F17/40;C01G3/02;C01G5/00;C08K3/08;C23C20/04 主分类号 B01F17/38
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种金属氧化物分散体,其特征系含粒径不及200 奈米之金属氧化物及分散媒体的金属氧化物分散 体,其中该分散媒含有多元醇及/或聚醚化合物。 2.如申请专利范围第1项之金属氧化物分散体,其中 多元醇之碳原子数为10以下。 3.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中多元醇系糖醇。 4.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中聚醚化合物系以碳原子数2至8之直链或环状 氧化烯基为重复单元之脂族聚醚。 5.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中聚醚化合物之分子量在150以上6000以下。 6.如申请专利范围第5项之金属氧化物分散体,其中 聚醚化合物系分子量250以上,以上1500以下之聚乙 二醇及/或聚丙二醇。 7.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中金属氧化物还原得之金属,其体积电阻値在11 0-4欧姆公分以下。 8.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中金属氧化物系铜氧化物或银氧化物。 9.如申请专利范围第8项之金属氧化物分散体,其中 金属氧化物系氧化亚铜。 10.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中金属氧化物含量占金属氧化物分散体总重量5 至90重量%。 11.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中含金属粉,该金属粉及金属氧化物微粒合计, 占金属氧化物分散体总重量5重量%以上95重量%以 下。 12.如申请专利范围第11项之金属氧化物分散体,其 中上述金属粉含至少一种选自金、银、铜、钯、 铂、镍、铬、铝、锡、锌、钛、钨、钽、钡、铑 、钌、锇、铋、铱、钴、铟、铁、铅所成群之金 属。 13.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中含热固性树脂,其占金属氧化物分散体总量0.1 至20重量%。 14.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中含多元醇及聚醚化合物以外之可还原金属氧 化物之还原剂,其占金属氧化物分散体总重量0.1至 70重量%。 15.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中多元醇含量占金属氧化物分散体总重量0.1重 量%以上95重量%以下。 16.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中聚醚化合物含量占金属氧化物分散体总重量0 .1至70重量%。 17.如申请专利范围第1或2项之金属氧化物分散体, 其中聚醚化合物含量占金属氧化物分散体总重量 不及0.1重量%。 18.如申请专利范围第16项之金属氧化物分散体,其 系经烧而得,且一次粒径不及200奈米之金属微粒 多数个集结,接触部份熔合所形成,作为金属薄膜 使用。 19.如申请专利范围第17项之金属氧化物分散体,其 系经烧而得,且一次粒径不及200奈米之金属微粒 多数个集结,接触部份熔合所形成,作为具有多孔 结构之金属薄膜使用。 20.一种金属薄膜之制造方法,其特征系将如申请专 利范围第1至17项中任一项之金属氧化物分散体涂 布于基板后,以50℃以上500℃以下进行加热处理。 21.如申请专利范围第20项之金属薄膜之制造方法, 其中50℃以上500℃以下之加热处理系于非氧化性 环境气体中施行。 22.如申请专利范围第20项之金属薄膜之制造方法, 其系将金属氧化物分散体涂布于基板后,于惰性环 境气体中加热烧,随后于还原性环境气体中加热 烧,加热处理温度为50℃以上500℃以下。
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