发明名称 |
一种Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>纳米囊及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开的Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>纳米囊是长度与直径比为2~5的无缝中空胶囊,它的组分和原子百分含量为:Bi 39.8~40.3%,Te 59.7~60.2%。其制备采用的是湿化学法。这种具有中空管状结构特征的Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>纳米囊有望提高半导体热电性能,可用于制备高性能热电材料,在材料、物理、化学、微电子等领域得到广泛应用。 |
申请公布号 |
CN1644509A |
申请公布日期 |
2005.07.27 |
申请号 |
CN200410073387.X |
申请日期 |
2004.12.08 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
赵新兵;孙霆;朱铁军;吉晓华;曹一琦 |
分类号 |
C01G29/00;C01B19/04;B82B1/00;B82B3/00 |
主分类号 |
C01G29/00 |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
1.一种Bi2Te3纳米囊,其特征在于它是长度与直径比为2~5的无缝中空胶囊,其组分和原子百分含量为:Bi 39.8~40.3%,Te 59.7~60.2%。 |
地址 |
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |