发明名称 一种Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>纳米囊及其制备方法
摘要 本发明公开的Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>纳米囊是长度与直径比为2~5的无缝中空胶囊,它的组分和原子百分含量为:Bi 39.8~40.3%,Te 59.7~60.2%。其制备采用的是湿化学法。这种具有中空管状结构特征的Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>纳米囊有望提高半导体热电性能,可用于制备高性能热电材料,在材料、物理、化学、微电子等领域得到广泛应用。
申请公布号 CN1644509A 申请公布日期 2005.07.27
申请号 CN200410073387.X 申请日期 2004.12.08
申请人 浙江大学 发明人 赵新兵;孙霆;朱铁军;吉晓华;曹一琦
分类号 C01G29/00;C01B19/04;B82B1/00;B82B3/00 主分类号 C01G29/00
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 韩介梅
主权项 1.一种Bi2Te3纳米囊,其特征在于它是长度与直径比为2~5的无缝中空胶囊,其组分和原子百分含量为:Bi 39.8~40.3%,Te 59.7~60.2%。
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