| 发明名称 | 具有高介电常数介电层的栅极结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构。该栅极结构包括一半导体基底，该基底实质上无凹进(recess)或离子造成损伤(damage)，一具有高介电常数的栅极介电层，形成于该基底表面，以及一栅极，形成于该栅极介电层表面。其中该具有高介电常数的栅极介电层是利用干蚀刻法蚀刻部分该具有高介电常数的栅极介电层，然后利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该具有高介电常数的栅极介电层而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN2713646Y | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200420050503.1 | 申请日期 | 2004.04.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 邱显光;彭宝庆;陶宏远 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/28 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种具有高介电常数介电层的栅极结构，其特征在于包括：一半导体基底，该基底实质上无凹进或离子造成损伤；一具有高介电常数的栅极介电层，形成于该基底表面；一栅极，形成于该栅极介电层表面；以及其中该具有高介电常数的栅极介电层是利用干蚀刻法蚀刻部分该具有高介电常数的栅极介电层，然后利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该具有高介电常数的栅极介电层而形成。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||